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2N5192
-
STMicroelectronics
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- STMICROELECTRONICS 2N5192 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 40 W, 4 A, 80 hFE
Date Sheet
在庫數 1060
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-225AA, TO-126-3
- Number of Pins：3
- Weight：90.718474mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-1.2V
- Power Dissipation (Max)：40W
- Number of Elements：1
- hFEMin：20
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：80V
- Current Rating：4A
- Frequency：2MHz
- Base Part Number：2N51
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：40W
- Case Connection：ISOLATED
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：20 @ 1.5A 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1mA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.4V @ 1A, 4A
- Transition Frequency：2MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：11.05mm
- Length：7.8mm
- Width：2.9mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 1060
小計金額 $0.00000
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