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KSD2012GTU
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3 Full Pack
- TRANS NPN 60V 3A TO-220F
Date Sheet
在庫數 33000
- 1+： $1.84840
- 10+： $1.74377
- 100+： $1.64507
- 500+： $1.55195
- 1000+： $1.46410
小計金額 $1.84840
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Factory Lead Time：14 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：400mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：3MHz
- Power Dissipation (Max)：25W
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2000
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：60V
- Current Rating：3A
- Frequency：3MHz
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：25W
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：3A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：150 @ 500mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100μA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1V @ 200mA, 2A
- Transition Frequency：3MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：60V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：7V
- Height：15.87mm
- Length：10.16mm
- Width：2.54mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 33000
- 1+： $1.84840
- 10+： $1.74377
- 100+： $1.64507
- 500+： $1.55195
- 1000+： $1.46410
小計金額 $1.84840
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