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MJD200G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Trans GP BJT NPN 25V 5A Automotive 3-Pin(2 Tab) DPAK Rail
Date Sheet
在庫數 35000
- 1+： $0.80297
- 10+： $0.75752
- 100+： $0.71464
- 500+： $0.67419
- 1000+： $0.63603
小計金額 $0.80297
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 17 hours ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Surface Mount：YES
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：25V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.8V
- Number of Elements：1
- hFEMin：70
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2006
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：25V
- Max Power Dissipation：1.4W
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：5A
- Frequency：65MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：MJD200
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.4W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：65MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：25V
- Max Collector Current：5A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：45 @ 2A 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.8V @ 1A, 5A
- Transition Frequency：65MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：40V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：8V
- Height：2.38mm
- Length：6.73mm
- Width：6.22mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 35000
- 1+： $0.80297
- 10+： $0.75752
- 100+： $0.71464
- 500+： $0.67419
- 1000+： $0.63603
小計金額 $0.80297
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