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画像はあくまで参考です。
MJE800G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- TRANS NPN DARL 60V 4A TO225AA
Date Sheet
在庫數 19500
- 1+： $3.65140
- 10+： $3.44472
- 100+： $3.24973
- 500+： $3.06578
- 1000+： $2.89225
小計金額 $3.65140
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 9 hours ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-225AA, TO-126-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2.5V
- Number of Elements：1
- hFEMin：100
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Bulk
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：BUILT IN BIAS RESISTOR
- Voltage - Rated DC：60V
- Max Power Dissipation：40W
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：4A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：MJE800
- Pin Count：3
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：40W
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Halogen Free：Halogen Free
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：750 @ 1.5A 3V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：2.5V @ 30mA, 1.5A
- Transition Frequency：1MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：60V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：11.0998mm
- Length：7.7978mm
- Width：2.9972mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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