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画像はあくまで参考です。
TIP29
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Sil
Date Sheet
在庫數 190
- 1+： $0.34723
- 10+： $0.32758
- 100+： $0.30904
- 500+： $0.29154
- 1000+： $0.27504
小計金額 $0.34723
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Supplier Device Package：TO-220-3
- Weight：1.214g
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：700mV
- Current-Collector (Ic) (Max)：1A
- Number of Elements：1
- hFEMin：15
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2013
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-65°C
- Voltage - Rated DC：40V
- Max Power Dissipation：2W
- Current Rating：1A
- Frequency：3MHz
- Base Part Number：TIP29
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：2W
- Power - Max：2W
- Gain Bandwidth Product：3MHz
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：40V
- Max Collector Current：1A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：15 @ 1A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：300μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：700mV @ 125mA, 1A
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：40V
- Max Breakdown Voltage：40V
- Frequency - Transition：3MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：40V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：6.35mm
- Length：6.35mm
- Width：6.35mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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