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画像はあくまで参考です。
2N6045G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- ON SEMICONDUCTOR - 2N6045G - Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 75 W, 8 A, 1000 hFE
Date Sheet
在庫數 1850
- 1+： $1.18330
- 10+： $1.11632
- 100+： $1.05313
- 500+： $0.99352
- 1000+： $0.93728
小計金額 $1.18330
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 22 hours ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：3
- Weight：4.535924g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
- Power Dissipation (Max)：75W
- Number of Elements：1
- hFEMin：1000
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2006
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-100V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：8A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：2N6045
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：75W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：8A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：1000 @ 3A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：20μA
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：2V @ 12mA, 3A
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Continuous Collector Current：8A
- Height：15.748mm
- Length：10.2616mm
- Width：4.826mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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