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画像はあくまで参考です。
FJP5027RTU
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- TRANS NPN 800V 3A TO-220
Date Sheet
在庫數 50000
- 1+： $1.35241
- 10+： $1.27585
- 100+： $1.20364
- 500+： $1.13551
- 1000+： $1.07123
小計金額 $1.35241
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：800V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：15MHz
- Power Dissipation (Max)：50W
- Number of Elements：1
- hFEMin：10
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2003
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：800V
- Current Rating：3A
- Frequency：15MHz
- Base Part Number：FJP5027
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：50W
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：800V
- Max Collector Current：3A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：15 @ 200mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：10μA ICBO
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：2V @ 300mA, 1.5A
- Transition Frequency：15MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：1.1kV
- Emitter Base Voltage (VEBO)：7V
- Height：15.7mm
- Length：9.9mm
- Width：4.5mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 50000
- 1+： $1.35241
- 10+： $1.27585
- 100+： $1.20364
- 500+： $1.13551
- 1000+： $1.07123
小計金額 $1.35241
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