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MJD112-001
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Date Sheet
在庫數 208
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Surface Mount：NO
- Number of Pins：4
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：2V
- Number of Elements：1
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2009
- JESD-609 Code：e0
- Pbfree Code：no
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Voltage - Rated DC：100V
- Max Power Dissipation：1.75W
- Peak Reflow Temperature (Cel)：240
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Current Rating：2A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：MJD112
- Pin Count：4
- JESD-30 Code：R-PSIP-T3
- Qualification Status：Not Qualified
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：20W
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：2A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：1000 @ 2A 3V
- Current - Collector Cutoff (Max)：20μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：3V @ 40mA, 4A
- Transition Frequency：25MHz
- Frequency - Transition：25MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Continuous Collector Current：2A
- RoHS Status：Non-RoHS Compliant
- Lead Free：Contains Lead
在庫數 208
小計金額 $0.00000
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