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画像はあくまで参考です。
2N4401T93
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ROHM Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- TRANS NPN 40V 0.6A TO-92
Date Sheet
在庫數 370
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：40V
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：250MHz
- Power Dissipation (Max)：625mW
- Number of Elements：1
- hFEMin：20
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Box (TB)
- Published：2005
- JESD-609 Code：e3/e2
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：TIN/TIN COPPER
- HTS Code：8541.21.00.75
- Voltage - Rated DC：40V
- Terminal Position：BOTTOM
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：600mA
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：10
- Base Part Number：2N4401
- JESD-30 Code：O-PBCY-T3
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：750mV
- Max Collector Current：600mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 150mA 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：750mV @ 50mA, 500mA
- Transition Frequency：250MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：60V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：6V
- VCEsat-Max：0.75 V
- Turn Off Time-Max (toff)：255ns
- Turn On Time-Max (ton)：35ns
- Collector-Base Capacitance-Max：6.5pF
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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