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画像はあくまで参考です。
2N5210BU
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- TRANS NPN 50V 0.1A TO-92
Date Sheet
在庫數 20000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Number of Pins：3
- Weight：179mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：700mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：30MHz
- Power Dissipation (Max)：625mW
- Number of Elements：1
- hFEMin：200
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2002
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：50V
- Terminal Position：BOTTOM
- Current Rating：100mA
- Frequency：30MHz
- Base Part Number：2N5210
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：50V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：200 @ 100μA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：50nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：700mV @ 1mA, 10mA
- Transition Frequency：30MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：50V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：4.5V
- Height：5.33mm
- Length：5.2mm
- Width：4.19mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
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