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画像はあくまで参考です。
FJD3305H1TM
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
Date Sheet
在庫數 5046
- 1+： $0.46354
- 10+： $0.43730
- 100+： $0.41255
- 500+： $0.38920
- 1000+： $0.36717
小計金額 $0.46354
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：400V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1V
- Number of Elements：1
- hFEMin：19
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2016
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Power Dissipation：1.1W
- Terminal Form：GULL WING
- Frequency：4MHz
- Base Part Number：FJD3305
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.1W
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：4MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：400V
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：8 @ 2A 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1μA ICBO
- JEDEC-95 Code：TO-252AA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1V @ 1A, 4A
- Transition Frequency：4MHz
- Max Breakdown Voltage：400V
- Collector Base Voltage (VCBO)：700V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：9V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 5046
- 1+： $0.46354
- 10+： $0.43730
- 100+： $0.41255
- 500+： $0.38920
- 1000+： $0.36717
小計金額 $0.46354
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