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画像はあくまで参考です。
2SD1816S-TL-E
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Trans GP BJT NPN 100V 4A 3-Pin(2 Tab) TP-FA T/R
Date Sheet
在庫數 657
- 1+： $1.66323
- 10+： $1.56908
- 100+： $1.48027
- 500+： $1.39648
- 1000+： $1.31743
小計金額 $1.66323
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
- Factory Lead Time：2 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：400mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：130MHz
- Power Dissipation (Max)：1W
- Number of Elements：1
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2012
- JESD-609 Code：e6
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
- HTS Code：8541.29.00.75
- Terminal Form：GULL WING
- Base Part Number：2SD1816
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Case Connection：COLLECTOR
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：140 @ 500mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：1μA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：400mV @ 200mA, 2A
- Max Frequency：180MHz
- Transition Frequency：180MHz
- Frequency - Transition：180MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：120V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：6V
- Height：2.3mm
- Length：6.5mm
- Width：5.5mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 657
- 1+： $1.66323
- 10+： $1.56908
- 100+： $1.48027
- 500+： $1.39648
- 1000+： $1.31743
小計金額 $1.66323
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