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画像はあくまで参考です。
FJPF2145TU
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3 Full Pack
- TRANS NPN 800V 5A TO-220F
Date Sheet
在庫數 40
- 1+： $2.80568
- 10+： $2.64687
- 100+： $2.49704
- 500+： $2.35570
- 1000+： $2.22236
小計金額 $2.80568
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：5 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：800V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：159mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：15MHz
- Power Dissipation (Max)：40W
- Number of Elements：1
- hFEMin：20
- Operating Temperature：-55°C~125°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：ESBC™
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：40W
- Case Connection：ISOLATED
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：800V
- Max Collector Current：5A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：20 @ 200mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：10μA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：2V @ 300mA, 1.5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Transition Frequency：28.4MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：1.1kV
- Emitter Base Voltage (VEBO)：7V
- Height：16.07mm
- Length：10.36mm
- Width：4.9mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 40
- 1+： $2.80568
- 10+： $2.64687
- 100+： $2.49704
- 500+： $2.35570
- 1000+： $2.22236
小計金額 $2.80568
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