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画像はあくまで参考です。
BD435S
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- TRANS NPN 32V 4A TO-126
Date Sheet
在庫數 7331
- 1+： $0.77031
- 10+： $0.72671
- 100+： $0.68558
- 500+： $0.64677
- 1000+： $0.61016
小計金額 $0.77031
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
- Factory Lead Time：16 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-225AA, TO-126-3
- Number of Pins：3
- Weight：761mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：32V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：200mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：50
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2011
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：32V
- Max Power Dissipation：36W
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Current Rating：4A
- Frequency：3MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：BD435
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：36W
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：3MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：32V
- Max Collector Current：4A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：40 @ 10mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 200mA, 2A
- Transition Frequency：3MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：32V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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