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画像はあくまで参考です。
2N5306
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- TRANS NPN DARL 25V 1.2A TO-92
Date Sheet
在庫數 5000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Number of Pins：3
- Supplier Device Package：TO-92-3
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：25V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.4V
- Current-Collector (Ic) (Max)：1.2A
- Number of Elements：1
- hFEMin：20000
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2002
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Voltage - Rated DC：25V
- Max Power Dissipation：625mW
- Current Rating：1.2A
- Base Part Number：2N5306
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power - Max：625mW
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：25V
- Max Collector Current：1.2A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：7000 @ 2mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.4V @ 200μA, 200mA
- Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)：25V
- Collector Base Voltage (VCBO)：25V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：12V
- Height：5.33mm
- Length：5.2mm
- Width：4.19mm
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
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