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画像はあくまで参考です。
ESM2012DV
-
STMicroelectronics
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- ISOTOP
- TRANS NPN DARL 120V 120A ISOTOP
Date Sheet
在庫數 165
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Chassis Mount, Screw
- Mounting Type：Chassis Mount
- Package / Case：ISOTOP
- Number of Pins：4
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：120V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.5V
- Power Dissipation (Max)：175W
- Number of Elements：1
- hFEMin：1200
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Nickel (Ni)
- Voltage - Rated DC：120V
- Terminal Position：UPPER
- Terminal Form：UNSPECIFIED
- Current Rating：120A
- Base Part Number：ESM2012
- Polarity：NPN
- Configuration：DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE
- Power Dissipation：175W
- Case Connection：ISOLATED
- Transistor Application：SWITCHING
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：150V
- Max Collector Current：120A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：1200 @ 100A 5V
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.5V @ 1A, 100A
- Emitter Base Voltage (VEBO)：7V
- VCEsat-Max：2 V
- Fall Time-Max (tf)：300ns
- Width：25.4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 165
小計金額 $0.00000
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