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KSC1008GBU
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- TRANS NPN 60V 0.7A TO-92
Date Sheet
在庫數 9036
- 1+： $0.05515
- 10+： $0.05203
- 100+： $0.04909
- 500+： $0.04631
- 1000+： $0.04369
小計金額 $0.05515
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：200mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：50MHz
- Power Dissipation (Max)：800mW
- Number of Elements：1
- hFEMin：40
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Bulk
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：MATTE TIN
- Voltage - Rated DC：60V
- Terminal Position：BOTTOM
- Current Rating：700mA
- Frequency：50MHz
- Base Part Number：KSC1008
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：800mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：700mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：200 @ 50mA 2V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：400mV @ 50mA, 500mA
- Transition Frequency：50MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：8V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 9036
- 1+： $0.05515
- 10+： $0.05203
- 100+： $0.04909
- 500+： $0.04631
- 1000+： $0.04369
小計金額 $0.05515
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