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MJD31CITU
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- TRANS NPN 100V 3A IPAK
Date Sheet
在庫數 37166
- 1+： $0.27473
- 10+： $0.25918
- 100+： $0.24451
- 500+： $0.23067
- 1000+： $0.21761
小計金額 $0.27473
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Number of Pins：3
- Weight：343.08mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.2V
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：3MHz
- Power Dissipation (Max)：1.56W
- Number of Elements：1
- hFEMin：10
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tube
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：100V
- Current Rating：3A
- Frequency：3MHz
- Base Part Number：MJD31
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.56W
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：3A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：10 @ 3A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：50μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.2V @ 375mA, 3A
- Transition Frequency：3MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：6.3mm
- Length：6.8mm
- Width：2.5mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 37166
- 1+： $0.27473
- 10+： $0.25918
- 100+： $0.24451
- 500+： $0.23067
- 1000+： $0.21761
小計金額 $0.27473
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