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    Home Discrete Semiconductor Products Transistors - Bipolar (BJT) - Single KSE3055T

    画像はあくまで参考です。

    KSE3055T

    在庫數 447

    小計金額 $0.00000

    仕様 よくある質問
    • Package / Case：TO-220-3
    • Mounting Type：Through Hole
    • Mount：Through Hole
    • Power Dissipation (Max)：600mW
    • Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：2MHz
    • Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
    • hFEMin：20
    • Number of Elements：1
    • Published：2001
    • Packaging：Bulk
    • Operating Temperature：150°C TJ
    • Part Status：Obsolete
    • Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
    • Voltage - Rated DC：60V
    • Current Rating：10A
    • Frequency：2MHz
    • Element Configuration：Single
    • Power Dissipation：600mW
    • Transistor Type：NPN
    • Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
    • Max Collector Current：10A
    • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：20 @ 4A 4V
    • Current - Collector Cutoff (Max)：700μA
    • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：8V @ 3.3A, 10A
    • Collector Base Voltage (VCBO)：70V
    • Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
    • RoHS Status：RoHS Compliant
    • Lead Free：Lead Free

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