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画像はあくまで参考です。
2N4123RLRM
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- TRANS NPN 30V 0.2A TO-92
Date Sheet
在庫數 561
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：300mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：50
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Box (TB)
- Published：1996
- JESD-609 Code：e0
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- HTS Code：8541.21.00.75
- Voltage - Rated DC：30V
- Max Power Dissipation：625mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Peak Reflow Temperature (Cel)：240
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Current Rating：200mA
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：2N4123
- Pin Count：3
- JESD-30 Code：O-PBCY-T3
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Transistor Application：SWITCHING
- Gain Bandwidth Product：250MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：300mV
- Max Collector Current：200mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：50 @ 2mA 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：50nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 5mA, 50mA
- Transition Frequency：250MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：40V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- RoHS Status：Non-RoHS Compliant
- Lead Free：Contains Lead
在庫數 561
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