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画像はあくまで参考です。
MJD32CTF
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- TRANS PNP 100V 3A DPAK
Date Sheet
在庫數 1000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 5 days ago)
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Contact Plating：Tin
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：1.56W
- Number of Elements：1
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：100V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-1.2V
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：3MHz
- hFEMin：10
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2001
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：-100V
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-3A
- Frequency：3MHz
- Base Part Number：MJD32
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.56W
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：100V
- Max Collector Current：3A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：10 @ 3A 4V
- Current - Collector Cutoff (Max)：50μA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.2V @ 375mA, 3A
- Transition Frequency：3MHz
- Max Breakdown Voltage：100V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-100V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- Length：6.6mm
- Height：2.3mm
- Width：6.1mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
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