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画像はあくまで参考です。
KSA812YMTF
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Transistor
Date Sheet
在庫數 267800
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 1 week ago)
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Weight：30mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：50V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-180mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：90
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2001
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-50V
- Max Power Dissipation：150mW
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-100mA
- Frequency：180MHz
- Base Part Number：KSA812
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：150mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：180MHz
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：50V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：135 @ 1mA 6V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：300mV @ 10mA, 100mA
- Transition Frequency：180MHz
- Max Breakdown Voltage：50V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-60V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-5V
- Height：970μm
- Length：2.9mm
- Width：1.3mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 267800
小計金額 $0.00000
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