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KSH210TF
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Trans GP BJT PNP 25V 5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
Date Sheet
在庫數 360000
- 1+： $0.42969
- 10+： $0.40537
- 100+： $0.38242
- 500+： $0.36078
- 1000+： $0.34035
小計金額 $0.42969
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Weight：260.37mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：25V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-1.8V
- Number of Elements：1
- hFEMin：45
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2002
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-25V
- Max Power Dissipation：1.4W
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：-5A
- Frequency：65MHz
- Base Part Number：KSH210
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1.4W
- Gain Bandwidth Product：65MHz
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：25V
- Max Collector Current：5A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：45 @ 2A 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.8V @ 1A, 5A
- Transition Frequency：65MHz
- Max Breakdown Voltage：25V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-40V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：-8V
- Height：2.3mm
- Length：6.6mm
- Width：6.1mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 360000
- 1+： $0.42969
- 10+： $0.40537
- 100+： $0.38242
- 500+： $0.36078
- 1000+： $0.34035
小計金額 $0.42969
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