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BC848BMTF
-
ON Semiconductor
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Transistor (BJT) - Discrete ON Semiconductor BC848BMTF SOT 23-3
Date Sheet
在庫數 147193
- 1+： $0.05487
- 10+： $0.05176
- 100+： $0.04883
- 500+： $0.04607
- 1000+： $0.04346
小計金額 $0.05487
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 6 days ago)
- Contact Plating：Tin
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Weight：30mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：30V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：200mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：300MHz
- Power Dissipation (Max)：310mW
- Number of Elements：1
- hFEMin：110
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2011
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：30V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Current Rating：100mA
- Frequency：300MHz
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：BC848
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：310mW
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：30V
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：200 @ 2mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：15nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：600mV @ 5mA, 100mA
- Transition Frequency：300MHz
- Max Breakdown Voltage：30V
- Collector Base Voltage (VCBO)：30V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- Height：930μm
- Length：2.92mm
- Width：1.3mm
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 147193
- 1+： $0.05487
- 10+： $0.05176
- 100+： $0.04883
- 500+： $0.04607
- 1000+： $0.04346
小計金額 $0.05487
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