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画像はあくまで参考です。
FZT3019
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-261-4, TO-261AA
- Trans GP BJT NPN 80V 1A 4-Pin(3 Tab) SOT-223 T/R
Date Sheet
在庫數 23100
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：6 Weeks
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 13 hours ago)
- Package / Case：TO-261-4, TO-261AA
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Number of Pins：4
- Weight：188mg
- Transistor Element Material：SILICON
- hFEMin：100
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：500mV
- Frequency - Gain Bandwidth Product (GBP)：100MHz
- Power Dissipation (Max)：1W
- Number of Elements：1
- Published：2004
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：4
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：80V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：1A
- Frequency：100MHz
- Base Part Number：FZT3019
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：1W
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：1A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：100 @ 150mA 10V
- Current - Collector Cutoff (Max)：10nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 50mA, 500mA
- Transition Frequency：100MHz
- Max Breakdown Voltage：80V
- Collector Base Voltage (VCBO)：140V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：7V
- Width：3.5mm
- Height：1.6mm
- Length：6.5mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 23100
小計金額 $0.00000
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