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画像はあくまで参考です。
MSB709-RT1G
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Bipolar Transistors - BJT 100mA 60V PNP
Date Sheet
在庫數 27000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LAST SHIPMENTS (Last Updated: 2 days ago)
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：45V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：-500mV
- Power Dissipation (Max)：200mW
- Number of Elements：1
- hFEMin：210
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2005
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：-45V
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Current Rating：-100mA
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：MSB709
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：200mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：500mV
- Max Collector Current：100mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：210 @ 2mA 10V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 10mA, 100mA
- Max Breakdown Voltage：45V
- Collector Base Voltage (VCBO)：-45V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：7V
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 27000
小計金額 $0.00000
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