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画像はあくまで参考です。
KSP05TA
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Date Sheet
在庫數 429
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：LIFETIME (Last Updated: 1 week ago)
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
- Number of Pins：3
- Weight：240mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：60V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：250mV
- Number of Elements：1
- hFEMin：50
- Operating Temperature：150°C TJ
- Packaging：Tape & Box (TB)
- Published：2007
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：60V
- Max Power Dissipation：625mW
- Terminal Position：BOTTOM
- Current Rating：500mA
- Frequency：100MHz
- Base Part Number：KSP05
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Gain Bandwidth Product：100MHz
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：60V
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：50 @ 100mA 1V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：250mV @ 10mA, 100mA
- Transition Frequency：100MHz
- Max Breakdown Voltage：60V
- Collector Base Voltage (VCBO)：60V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：4V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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