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BC373
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- TRANS NPN DARL 80V 1A TO-92
Date Sheet
在庫數 595
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：80V
- Collector-Emitter Saturation Voltage：1.1V
- Power Dissipation (Max)：625mW
- Number of Elements：1
- hFEMin：8000
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2006
- JESD-609 Code：e0
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- HTS Code：8541.21.00.75
- Voltage - Rated DC：80V
- Terminal Position：BOTTOM
- Peak Reflow Temperature (Cel)：240
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Current Rating：1A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：BC373
- Qualification Status：Not Qualified
- Polarity：NPN
- Element Configuration：Single
- Power Dissipation：625mW
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Transistor Type：NPN - Darlington
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：80V
- Max Collector Current：1A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：10000 @ 100mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100nA ICBO
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：1.1V @ 250μA, 250mA
- Transition Frequency：200MHz
- Frequency - Transition：200MHz
- Collector Base Voltage (VCBO)：80V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：12V
- Continuous Collector Current：1A
- Height：5.33mm
- Length：5.2mm
- Width：533μm
- RoHS Status：Non-RoHS Compliant
- Lead Free：Contains Lead
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