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BD159
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ON Semiconductor
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Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-225AA, TO-126-3
- TRANS NPN 350V 0.5A TO-225
Date Sheet
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仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-225AA, TO-126-3
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：350V
- Power Dissipation (Max)：20W
- Number of Elements：1
- hFEMin：30
- Operating Temperature：-65°C~150°C TJ
- Packaging：Bulk
- Published：2003
- JESD-609 Code：e0
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Additional Feature：HIGH RELIABILITY
- Voltage - Rated DC：350V
- Peak Reflow Temperature (Cel)：240
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Current Rating：500mA
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：BD159
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Polarity/Channel Type：NPN
- Transistor Type：NPN
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：350V
- Max Collector Current：500mA
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：30 @ 50mA 10V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100μA ICBO
- Collector Base Voltage (VCBO)：375V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- RoHS Status：Non-RoHS Compliant
- Lead Free：Contains Lead
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