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画像はあくまで参考です。
BUL3P5
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STMicroelectronics
-
Transistors - Bipolar (BJT) - Single
- TO-220-3
- Bipolar Transistors - BJT MEDIUM Vltg PNP Pwr TRANSISTOR
Date Sheet
在庫數 410
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Package / Case：TO-220-3
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- hFEMin：10
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：60W
- Collector-Emitter Breakdown Voltage：400V
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：150°C TJ
- JESD-609 Code：e3
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：3 (168 Hours)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：BUL3P5
- JESD-30 Code：R-PSFM-T3
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Single
- Power - Max：60W
- Transistor Application：SWITCHING
- Polarity/Channel Type：PNP
- Transistor Type：PNP
- Collector Emitter Voltage (VCEO)：500mV
- Max Collector Current：3A
- DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce：18 @ 700mA 5V
- Current - Collector Cutoff (Max)：100μA
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic：500mV @ 200mA, 1A
- Collector Base Voltage (VCBO)：500V
- Emitter Base Voltage (VEBO)：5V
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 410
小計金額 $0.00000
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