日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FDMD8280
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 12-PowerWDFN
- PT7 80/20V Dual Nch PowerTrench MOSFET - 12LD, PQFN, POWERCLIP DUAL, JEDEC, MO-240, VARIATION BA, 3.3
Date Sheet
在庫數 15000
- 1+： $3.54169
- 10+： $3.34122
- 100+： $3.15209
- 500+： $2.97367
- 1000+： $2.80535
小計金額 $3.54169
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：12-PowerWDFN
- Number of Pins：12
- Weight：82.3188mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：26 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：12
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Power Dissipation：1W
- Terminal Form：NO LEAD
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Number of Channels：2
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Case Connection：DRAIN SOURCE
- Turn On Delay Time：15 ns
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：8.2m Ω @ 11A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：3050pF @ 40V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：44nC @ 10V
- Rise Time：12ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：80V
- Fall Time (Typ)：8.9 ns
- Continuous Drain Current (ID)：11A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：80V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Standard
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 15000
- 1+： $3.54169
- 10+： $3.34122
- 100+： $3.15209
- 500+： $2.97367
- 1000+： $2.80535
小計金額 $3.54169
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
