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画像はあくまで参考です。
FDPC8012S
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-PowerWDFN
- MOSF DL N CH ASYM 25V PWR CLIP33
Date Sheet
在庫數 1572
- 1+： $4.92002
- 10+： $4.64153
- 100+： $4.37880
- 500+： $4.13094
- 1000+： $3.89712
小計金額 $4.92002
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerWDFN
- Number of Pins：8
- Weight：192mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：13A 26A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：34 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2010
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Power Dissipation：2W
- Configuration：SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power - Max：800mW 900mW
- FET Type：2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：7m Ω @ 12A, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2.2V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1075pF @ 13V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：8nC @ 4.5V
- Rise Time：3ns
- Fall Time (Typ)：3 ns
- Continuous Drain Current (ID)：88A
- JEDEC-95 Code：MO-240BA
- Gate to Source Voltage (Vgs)：12V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：13A
- Drain-source On Resistance-Max：0.007Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：25V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Height：725μm
- Length：3.3mm
- Width：3.3mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 1572
- 1+： $4.92002
- 10+： $4.64153
- 100+： $4.37880
- 500+： $4.13094
- 1000+： $3.89712
小計金額 $4.92002
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