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FDMS3626S
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-PowerTDFN
- MOSFET 25V Dual N-Channel MOSFET
Date Sheet
在庫數 25642
- 1+： $0.83559
- 10+： $0.78829
- 100+： $0.74367
- 500+： $0.70157
- 1000+： $0.66186
小計金額 $0.83559
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：18 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerTDFN
- Number of Pins：8
- Weight：90mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：17.5A 25A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：23 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Power Dissipation：1W
- JESD-30 Code：R-PDSO-N6
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Case Connection：DRAIN SOURCE
- Turn On Delay Time：7 ns
- FET Type：2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：5m Ω @ 17.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1570pF @ 13V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：26nC @ 10V
- Continuous Drain Current (ID)：25A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：12V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：17.5A
- Drain-source On Resistance-Max：0.005Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：25V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Height：1.05mm
- Length：5.1mm
- Width：6.1mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 25642
- 1+： $0.83559
- 10+： $0.78829
- 100+： $0.74367
- 500+： $0.70157
- 1000+： $0.66186
小計金額 $0.83559
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