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画像はあくまで参考です。
DMC3028LSD-13
-
Diodes Incorporated
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
Date Sheet
在庫數 30000
- 1+： $0.78872
- 10+： $0.74408
- 100+： $0.70196
- 500+： $0.66223
- 1000+： $0.62474
小計金額 $0.78872
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：17 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：73.992255mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：6.6A 6.8A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：44 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Digi-Reel®
- Published：2009
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Matte Tin (Sn)
- Max Power Dissipation：1.8W
- Terminal Position：DUAL
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：260
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
- Base Part Number：DMC3028LSD
- Pin Count：8
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.1W
- Turn On Delay Time：3.5 ns
- FET Type：N and P-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：28m Ω @ 6A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：472pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：10.5nC @ 10V
- Rise Time：4.9ns
- Polarity/Channel Type：N-CHANNEL AND P-CHANNEL
- Fall Time (Typ)：28 ns
- Continuous Drain Current (ID)：7.4A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：5.5A
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Height：1.5mm
- Length：5mm
- Width：4mm
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- REACH SVHC：No SVHC
- Lead Free：Lead Free
在庫數 30000
- 1+： $0.78872
- 10+： $0.74408
- 100+： $0.70196
- 500+： $0.66223
- 1000+： $0.62474
小計金額 $0.78872
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