日本語
人気検索：
(0)
画像はあくまで参考です。
FDMS3620S
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-PowerTDFN
- MOSFET 25V Asymtrc Dual NCh MOSFET PowerTrench
Date Sheet
在庫數 79999
- 1+： $2.78206
- 10+： $2.62459
- 100+： $2.47603
- 500+： $2.33587
- 1000+： $2.20365
小計金額 $2.78206
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Factory Lead Time：18 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerTDFN
- Number of Pins：8
- Weight：90mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：17.5A 38A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：41 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Power Dissipation：1W
- Base Part Number：FDMS3620S
- JESD-30 Code：R-PDSO-N6
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Case Connection：DRAIN SOURCE
- FET Type：2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：4.7m Ω @ 17.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：2V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1570pF @ 13V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：26nC @ 10V
- Continuous Drain Current (ID)：38A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：12V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：17.5A
- Drain-source On Resistance-Max：0.0047Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：25V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Height：1.05mm
- Length：5.1mm
- Width：6.1mm
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 79999
- 1+： $2.78206
- 10+： $2.62459
- 100+： $2.47603
- 500+： $2.33587
- 1000+： $2.20365
小計金額 $2.78206
類似スペック製品
サポートセンター
購入サービス
プライバシーと規約
Kynix について
お問合せ
