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画像はあくまで参考です。
FDMS3602S
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-PowerTDFN
- DUAL N CH MOSFET, 25V, 40A, POWER56 - More Details
Date Sheet
在庫數 72
- 1+： $3.03521
- 10+： $2.86340
- 100+： $2.70132
- 500+： $2.54842
- 1000+： $2.40417
小計金額 $3.03521
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
- Factory Lead Time：13 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-PowerTDFN
- Number of Pins：8
- Weight：90mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：15A 26A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：31 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2006
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：5.6MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Power Dissipation：1W
- JESD-30 Code：R-PDSO-N6
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Case Connection：DRAIN SOURCE
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：5.6m Ω @ 15A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1680pF @ 13V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：27nC @ 10V
- Rise Time：4.2ns
- Fall Time (Typ)：3.2 ns
- Continuous Drain Current (ID)：26A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：15A
- Drain to Source Breakdown Voltage：25V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：40A
- Avalanche Energy Rating (Eas)：50 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Nominal Vgs：1.8 V
- Height：1.05mm
- Length：5mm
- Width：6mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 72
- 1+： $3.03521
- 10+： $2.86340
- 100+： $2.70132
- 500+： $2.54842
- 1000+： $2.40417
小計金額 $3.03521
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