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画像はあくまで参考です。
FDC3601N
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- ON SEMICONDUCTOR - FDC3601N - Dual MOSFET, Dual N Channel, 1 A, 100 V, 0.5 ohm, 10 V, 2.6 V
Date Sheet
在庫數 30000
- 1+： $0.74766
- 10+： $0.70534
- 100+： $0.66542
- 500+： $0.62775
- 1000+： $0.59222
小計金額 $0.74766
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：5 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
- Number of Pins：6
- Weight：36mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：11 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：6
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：500MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：100V
- Max Power Dissipation：960mW
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：1A
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：960mW
- Turn On Delay Time：8 ns
- Power - Max：700mW
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：500m Ω @ 1A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：153pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：5nC @ 10V
- Rise Time：4ns
- Fall Time (Typ)：4 ns
- Continuous Drain Current (ID)：1A
- Threshold Voltage：2.6V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：1A
- Drain to Source Breakdown Voltage：100V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Standard
- Height：1mm
- Length：3mm
- Width：1.7mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 30000
- 1+： $0.74766
- 10+： $0.70534
- 100+： $0.66542
- 500+： $0.62775
- 1000+： $0.59222
小計金額 $0.74766
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