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画像はあくまで参考です。
FDS3992
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ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- ON SEMICONDUCTOR - FDS3992 - Dual MOSFET, Dual N Channel, 4.5 A, 100 V, 0.054 ohm, 10 V, 4 V
Date Sheet
在庫數 2500
- 1+： $1.74174
- 10+： $1.64315
- 100+： $1.55014
- 500+： $1.46239
- 1000+： $1.37962
小計金額 $1.74174
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：11 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Weight：187mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：28 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2017
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：62MOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：100V
- Max Power Dissipation：2.5W
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：4.5A
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Turn On Delay Time：8 ns
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：62m Ω @ 4.5A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：750pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：15nC @ 10V
- Rise Time：23ns
- Fall Time (Typ)：26 ns
- Continuous Drain Current (ID)：4.5A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：100V
- Dual Supply Voltage：100V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：167 mJ
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Standard
- Nominal Vgs：4 V
- Height：1.575mm
- Length：4.9mm
- Width：3.9mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 2500
- 1+： $1.74174
- 10+： $1.64315
- 100+： $1.55014
- 500+： $1.46239
- 1000+： $1.37962
小計金額 $1.74174
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