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FQD2N60CTM
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
Date Sheet
在庫數 169
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：4 Weeks
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Contact Plating：Tin
- Package / Case：TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Turn Off Delay Time：24 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：1.9A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：2.5W Ta 44W Tc
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：QFET®
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：2
- ECCN Code：EAR99
- Voltage - Rated DC：600V
- Terminal Form：GULL WING
- Current Rating：1.9A
- JESD-30 Code：R-PSSO-G2
- Voltage：650V
- Element Configuration：Single
- Current：18A
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：2.5W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：9 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：4.7 Ω @ 950mA, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：235pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：12nC @ 10V
- Rise Time：25ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：28 ns
- Continuous Drain Current (ID)：1.9A
- Threshold Voltage：4V
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：600V
- Width：6.22mm
- Height：2.39mm
- Length：6.73mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 169
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