BSS138-7-F

Diodes Incorporated
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Date Sheet

在庫數 60000

1+： $0.19912
10+： $0.18785
100+： $0.17721
500+： $0.16718
1000+： $0.15772

小計金額 $0.19912

仕様よくある質問

Factory Lead Time：16 Weeks
Contact Plating：Tin
Mount：Surface Mount
Mounting Type：Surface Mount
Package / Case：TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Number of Pins：3
Weight：7.994566mg
Transistor Element Material：SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：200mA Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
Turn Off Delay Time：20 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
Number of Elements：1
Power Dissipation (Max)：300mW Ta
Published：2003
Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
Packaging：Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code：e3
Pbfree Code：yes
Part Status：Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
Number of Terminations：3
ECCN Code：EAR99
Resistance：3.5Ohm
Additional Feature：HIGH RELIABILITY, LOW THRESHOLD
Voltage - Rated DC：50V
Terminal Position：DUAL
Terminal Form：GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)：260
Current Rating：200mA
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：40
Qualification Status：Not Qualified
Number of Channels：1
Voltage：50V
Element Configuration：Single
Current：2A
Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation：300mW
Turn On Delay Time：20 ns
FET Type：N-Channel
Transistor Application：SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs：3.5 Ω @ 220mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：50pF @ 10V
Rise Time：10ns
Vgs (Max)：±20V
Fall Time (Typ)：25 ns
Continuous Drain Current (ID)：200mA
Threshold Voltage：1.2V
Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
Drain to Source Breakdown Voltage：50V
Nominal Vgs：1.2 V
Feedback Cap-Max (Crss)：8 pF
Height：1mm
Width：1.3mm
Length：2.9mm
REACH SVHC：No SVHC
RoHS Status：ROHS3 Compliant
Lead Free：Lead Free

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10+： $0.18785
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