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画像はあくまで参考です。
FDW2503N
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- MOSFET 2N-CH 20V 5.5A 8TSSOP
Date Sheet
在庫數 5686
- 1+： $0.56029
- 10+： $0.52858
- 100+： $0.49866
- 500+： $0.47043
- 1000+： $0.44380
小計金額 $0.56029
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
- Number of Pins：8
- Supplier Device Package：8-TSSOP
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：5.5A
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：24 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Series：PowerTrench®
- Published：2000
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Termination：SMD/SMT
- Resistance：21MOhm
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Voltage - Rated DC：20V
- Max Power Dissipation：600mW
- Current Rating：5.5A
- Power Dissipation：1W
- Turn On Delay Time：8 ns
- Power - Max：600mW
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：21mOhm @ 5.5A, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1.5V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1082pF @ 10V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：17nC @ 4.5V
- Rise Time：8ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：20V
- Fall Time (Typ)：8 ns
- Continuous Drain Current (ID)：5.5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：12V
- Drain to Source Breakdown Voltage：20V
- Dual Supply Voltage：20V
- Input Capacitance：1.082nF
- FET Feature：Logic Level Gate
- Drain to Source Resistance：17mOhm
- Rds On Max：21 mΩ
- Nominal Vgs：800 mV
- Height：1mm
- Length：3mm
- Width：4.4mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 5686
- 1+： $0.56029
- 10+： $0.52858
- 100+： $0.49866
- 500+： $0.47043
- 1000+： $0.44380
小計金額 $0.56029
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