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NTHD4502NT1
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SMD, Flat Lead
- MOSFET 2N-CH 30V 2.2A CHIPFET
Date Sheet
在庫數 6000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SMD, Flat Lead
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Turn Off Delay Time：14.6 ns
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2005
- JESD-609 Code：e0
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin/Lead (Sn/Pb)
- Voltage - Rated DC：30V
- Max Power Dissipation：640mW
- Terminal Form：C BEND
- Peak Reflow Temperature (Cel)：240
- Reach Compliance Code：not_compliant
- Current Rating：3.9A
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：30
- Base Part Number：NTHD4502N
- Pin Count：8
- Qualification Status：Not Qualified
- Configuration：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：1.13W
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：85m Ω @ 2.9A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：140pF @ 15V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：7nC @ 10V
- Rise Time：5.4ns
- Fall Time (Typ)：5.4 ns
- Continuous Drain Current (ID)：2.2A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain Current-Max (Abs) (ID)：2.9A
- Drain to Source Breakdown Voltage：-20V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Feedback Cap-Max (Crss)：25 pF
- RoHS Status：Non-RoHS Compliant
- Lead Free：Contains Lead
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