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画像はあくまで参考です。
NTMD6601NR2G
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- MOSFET NFET S08D 80V 1.4A 245mOHM
Date Sheet
在庫數 448
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：OBSOLETE (Last Updated: 1 week ago)
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
- Number of Pins：8
- Transistor Element Material：SILICON
- Number of Elements：2
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tape & Reel (TR)
- Published：2008
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：8
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Max Power Dissipation：600mW
- Terminal Form：GULL WING
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Pin Count：8
- Qualification Status：Not Qualified
- Element Configuration：Dual
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：1W
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：215m Ω @ 2.2A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：400pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：15nC @ 10V
- Drain to Source Voltage (Vdss)：80V
- Continuous Drain Current (ID)：1.1A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：15V
- Drain to Source Breakdown Voltage：80V
- FET Technology：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
- FET Feature：Logic Level Gate
- Feedback Cap-Max (Crss)：30 pF
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 448
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