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画像はあくまで参考です。
IRLHS6376TR2PBF
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Infineon Technologies
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Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
- 6-VDFN Exposed Pad
- MOSFET 2N-CH 30V 3.6A PQFN
Date Sheet
在庫數 9
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Mount：Surface Mount
- Mounting Type：Surface Mount
- Package / Case：6-VDFN Exposed Pad
- Number of Pins：6
- Supplier Device Package：6-PQFN (2x2)
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：3.6A
- Turn Off Delay Time：11 ns
- Packaging：Cut Tape (CT)
- Series：HEXFET®
- Published：2009
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Resistance：63MOhm
- Max Operating Temperature：150°C
- Min Operating Temperature：-55°C
- Max Power Dissipation：1.5W
- Base Part Number：IRLHS6376
- Element Configuration：Dual
- Power Dissipation：6.6W
- Turn On Delay Time：4.4 ns
- Power - Max：1.5W
- FET Type：2 N-Channel (Dual)
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：63mOhm @ 3.4A, 4.5V
- Vgs(th) (Max) @ Id：1.1V @ 10μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：270pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：2.8nC @ 4.5V
- Rise Time：11ns
- Drain to Source Voltage (Vdss)：30V
- Fall Time (Typ)：9.4 ns
- Continuous Drain Current (ID)：3.6A
- Threshold Voltage：800mV
- Gate to Source Voltage (Vgs)：12V
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Input Capacitance：270pF
- Recovery Time：12 ns
- FET Feature：Logic Level Gate
- Drain to Source Resistance：63mOhm
- Rds On Max：63 mΩ
- Nominal Vgs：800 mV
- Height：950μm
- Length：2.1mm
- Width：2.1mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：RoHS Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 9
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