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画像はあくまで参考です。
IRLS640A
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3 Full Pack
- MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level
Date Sheet
在庫數 122
- 1+： $2.13270
- 10+： $2.01198
- 100+： $1.89810
- 500+： $1.79066
- 1000+： $1.68930
小計金額 $2.13270
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：9 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3 Full Pack
- Number of Pins：3
- Weight：2.27g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：9.8A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：5V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：40W Tc
- Turn Off Delay Time：46 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：2V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Packaging：Tube
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Additional Feature：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
- Voltage - Rated DC：200V
- Current Rating：9.8A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：40W
- Case Connection：ISOLATED
- Turn On Delay Time：11 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：180m Ω @ 4.9A, 5V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1705pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：56nC @ 5V
- Rise Time：8ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：15 ns
- Continuous Drain Current (ID)：9.8A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：200V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：64 mJ
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 122
- 1+： $2.13270
- 10+： $2.01198
- 100+： $1.89810
- 500+： $1.79066
- 1000+： $1.68930
小計金額 $2.13270
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