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画像はあくまで参考です。
IRFB4020PBF
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Infineon Technologies
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- MOSFET N-CH 200V 18A TO-220AB
Date Sheet
在庫數 10000
- 1+： $1.67890
- 10+： $1.58387
- 100+： $1.49422
- 500+： $1.40964
- 1000+： $1.32985
小計金額 $1.67890
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：12 Weeks
- Package / Case：TO-220-3
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Power Dissipation (Max)：100W Tc
- Turn Off Delay Time：16 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4.9V @ 100μA
- Number of Elements：1
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：18A Tc
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2006
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- Termination：Through Hole
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：100MOhm
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：100mW
- Turn On Delay Time：7.8 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：AMPLIFIER
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：100m Ω @ 11A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1200pF @ 50V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：29nC @ 10V
- Rise Time：12ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：6.3 ns
- Continuous Drain Current (ID)：18A
- Threshold Voltage：4.9V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：200V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：52A
- Dual Supply Voltage：200V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：94 mJ
- Recovery Time：120 ns
- Nominal Vgs：4.9 V
- Width：4.82mm
- Length：10.6426mm
- Height：9.02mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 10000
- 1+： $1.67890
- 10+： $1.58387
- 100+： $1.49422
- 500+： $1.40964
- 1000+： $1.32985
小計金額 $1.67890
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