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RFP70N06
-
ON Semiconductor
-
Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-220-3
- Transistor RFP70N06 N-Channel MOSFET 60 Volt 70 Amp TO-220AB
Date Sheet
在庫數 342
- 1+： $2.79636
- 10+： $2.63807
- 100+： $2.48875
- 500+： $2.34787
- 1000+： $2.21498
小計金額 $2.79636
仕様 よくある質問
- Lifecycle Status：ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
- Factory Lead Time：9 Weeks
- Contact Plating：Tin
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-220-3
- Number of Pins：3
- Weight：1.8g
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：70A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：150W Tc
- Turn Off Delay Time：32 ns
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Published：2005
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：14mOhm
- Voltage - Rated DC：60V
- Current Rating：70A
- Number of Channels：1
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：150W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：10 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：14m Ω @ 70A, 10V
- Vgs(th) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：2250pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：156nC @ 20V
- Rise Time：137ns
- Vgs (Max)：±20V
- Fall Time (Typ)：24 ns
- Continuous Drain Current (ID)：70A
- Threshold Voltage：4V
- JEDEC-95 Code：TO-220AB
- Gate to Source Voltage (Vgs)：20V
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- Height：9.4mm
- Length：10.67mm
- Width：4.83mm
- REACH SVHC：No SVHC
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
在庫數 342
- 1+： $2.79636
- 10+： $2.63807
- 100+： $2.48875
- 500+： $2.34787
- 1000+： $2.21498
小計金額 $2.79636
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