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HUFA76429D3
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- MOSFET 20a 60V 0.027 Ohm Logic Level N-Ch
Date Sheet
在庫數 25000
小計金額 $0.00000
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：8 Weeks
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Number of Pins：3
- Weight：343.08mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：20A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：110W Tc
- Turn Off Delay Time：60 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：UltraFET™
- Published：2001
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Resistance：27mOhm
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Voltage - Rated DC：60V
- Current Rating：20A
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：110W
- Case Connection：DRAIN
- Turn On Delay Time：7.7 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：23m Ω @ 20A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1480pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：46nC @ 10V
- Rise Time：36ns
- Vgs (Max)：±16V
- Fall Time (Typ)：56 ns
- Continuous Drain Current (ID)：20A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：16V
- Drain to Source Breakdown Voltage：60V
- Radiation Hardening：No
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Lead Free：Lead Free
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小計金額 $0.00000
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