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画像はあくまで参考です。
FQU3N50CTU
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ON Semiconductor
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- MOSFET N-CH 500V 2.5A IPAK
Date Sheet
在庫數 100
- 1+： $1.47391
- 10+： $1.39048
- 100+： $1.31177
- 500+： $1.23752
- 1000+： $1.16747
小計金額 $1.47391
仕様 よくある質問
- Factory Lead Time：5 Weeks
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Mounting Type：Through Hole
- Mount：Through Hole
- Number of Pins：3
- Weight：343.08mg
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：2.5A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：10V
- Turn Off Delay Time：35 ns
- Power Dissipation (Max)：35W Tc
- Number of Elements：1
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：4V @ 250μA
- Series：QFET®
- Packaging：Tube
- Operating Temperature：-55°C~150°C TJ
- Published：2013
- JESD-609 Code：e3
- Pbfree Code：yes
- Part Status：Active
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Terminal Finish：Tin (Sn)
- Element Configuration：Single
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：35W
- Turn On Delay Time：10 ns
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：2.5 Ω @ 1.25A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：365pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：13nC @ 10V
- Rise Time：25ns
- Vgs (Max)：±30V
- Fall Time (Typ)：25 ns
- Continuous Drain Current (ID)：2.5A
- Gate to Source Voltage (Vgs)：30V
- Drain to Source Breakdown Voltage：500V
- Avalanche Energy Rating (Eas)：200 mJ
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
- Radiation Hardening：No
- Lead Free：Lead Free
在庫數 100
- 1+： $1.47391
- 10+： $1.39048
- 100+： $1.31177
- 500+： $1.23752
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