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STU65N3LLH5
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STMicroelectronics
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Transistors - FETs, MOSFETs - Single
- TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- MOSFET N-Ch 30V 0.0061Ohm 65A pwr STripFET V
Date Sheet
在庫數 1548
- 1+： $1.02128
- 10+： $0.96347
- 100+： $0.90894
- 500+： $0.85749
- 1000+： $0.80895
小計金額 $1.02128
仕様 よくある質問
- Mount：Through Hole
- Mounting Type：Through Hole
- Package / Case：TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
- Number of Pins：3
- Transistor Element Material：SILICON
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃：65A Tc
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)：4.5V 10V
- Number of Elements：1
- Power Dissipation (Max)：50W Tc
- Turn Off Delay Time：32.4 ns
- Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id：3V @ 250μA
- Operating Temperature：-55°C~175°C TJ
- Packaging：Tube
- Series：STripFET™ V
- Part Status：Obsolete
- Moisture Sensitivity Level (MSL)：1 (Unlimited)
- Number of Terminations：3
- ECCN Code：EAR99
- Additional Feature：ULTRA-LOW RESISTANCE
- Terminal Position：SINGLE
- Peak Reflow Temperature (Cel)：NOT SPECIFIED
- Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)：NOT SPECIFIED
- Base Part Number：STU65N
- Configuration：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
- Operating Mode：ENHANCEMENT MODE
- Power Dissipation：50W
- Case Connection：DRAIN
- FET Type：N-Channel
- Transistor Application：SWITCHING
- Rds On (Max) @ Id, Vgs：7.3m Ω @ 32.5A, 10V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds：1290pF @ 25V
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs：8nC @ 4.5V
- Rise Time：11.2ns
- Vgs (Max)：±22V
- Fall Time (Typ)：6 ns
- Continuous Drain Current (ID)：65A
- Drain-source On Resistance-Max：0.0097Ohm
- Drain to Source Breakdown Voltage：30V
- Pulsed Drain Current-Max (IDM)：260A
- REACH SVHC：unknown
- RoHS Status：ROHS3 Compliant
在庫數 1548
- 1+： $1.02128
- 10+： $0.96347
- 100+： $0.90894
- 500+： $0.85749
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